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北京海华博远科技发展有限公司
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产品信息
低功耗 二相混合式步进电机驱动芯片 THB6016H
一、特性：
l双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.6Ω（上桥+下桥）
l耐压40VDC，电流3.5A（峰值）
l多种细分可选（1/1、1/2、1/8、1/16）
l衰减方式分段可调
l耐压40VDC，电流3.5A（峰值）
l多种细分可选（1/1、1/2、1/8、1/16）
l衰减方式分段可调
二、框图：
三、管脚说明：
|
管脚编号 |
输入/输出 |
*号 |
功 能 描 述 |
|
1 |
输入 |
TQ2 |
驱动电流大小控制端 |
|
2 |
输入 |
TQ1 |
驱动电流大小控制端 |
|
3 |
输入 |
CLK |
脉冲输入端 |
|
4 |
输入 |
ENABLE |
使能端ENABLE＝0*输出为0，ENABLE=1正常工作 |
|
5 |
输入 |
R*ET |
上电复位端 |
|
6 |
— |
SGND |
地线 |
|
7 |
— |
OSC |
斩波频率控制端：C=1000PF，f=44KHz；C=330PF，f=130KHz |
|
8 |
输入 |
V* |
驱动电源（小于40VDC） |
|
9 |
输出 |
OUT_BM |
电机绕组B相 |
|
10 |
— |
PGNDB |
地线 |
|
11 |
— |
NFB |
B相电流检测端，须大于0.2Ω |
|
12 |
输出 |
OUT_BP |
电机绕组B相 |
|
13 |
输出 |
OUT_AM |
电机绕组A相 |
|
14 |
— |
NFA |
A相电流检测端，须大于0.2Ω |
|
15 |
— |
PGNDA |
地线 |
|
16 |
输出 |
OUT_AP |
电机绕组A相 |
|
17 |
输出 |
MO |
|
|
18 |
输入 |
VMA |
驱动电压小于40VDC |
|
19 |
输出 |
Protect |
温度保护，芯片温度大于150℃自动断开*输出 |
|
20 |
输入 |
VDD |
5V稳压电源 |
|
21 |
输入 |
CW/CCW |
正反转控制 |
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22 |
输入 |
M2 |
细分数选择端 |
|
23 |
输入 |
M1 |
细分数选择端 |
|
24 |
输入 |
DCY2 |
衰减方式控制端 |
|
25 |
输入 |
DCY1 |
衰减方式控制端 |
封装：HZIP25-P-1.27